技术组主目前主要课题是针对 NAND FLASH & NOR FLASH数据恢复技术的深入研究，在NAND的数据管理及数据块控制上已经取得了很大进步，国内首家破解了FLASH中恢复难题－－－当NAND芯片用户主控&固件坏损后，使用编程器按物理序列得到芯片数据内容后，由于NAND应用了数据块(BLM)组织管理物理地址技术，使得从FLT层得到的芯片数据是一个无顺混乱的结构，目前这一行业难题在宏宇团队的努力下得以攻破,该技术可完美恢复严重坏损的优盘、MP3、MP4、录音笔、存储卡等外部微型芯片数据。

        工业技术越来越多进入电子化集成化，新的科技产生越来越多的实用芯片，如今人们的口袋中随处可见芯片的身影。应用平台的增加，宏宇团队紧跟前沿芯片加工技术，续NAND之后，固态硬盘（SSD）、变存储技术(phase-change)、电阻记忆体技术(resistive  memory)电阻式随机存取记忆体RRAM(resistive random-access memory)和可编程金属单元PMC(Programmable Metallization Cell)这些技术已经列入宏宇研发时间表，探寻其坏损后的数据恢复机理，研发芯片数据恢复技术是宏宇芯片技术团队的使命！